南车株洲电力机车研究所有限公司计划投资140453万元，在株洲市田心高科园现有厂区半导体III线项目南面建设大功率IGBT产业化建设项目。项目以硅片为基本材料，工艺过程包括硅片的清洗、氧化、光刻、蚀刻、扩散、化学气相沉积、金属化及研磨等。主要建设内容包括：总建筑面积27950平方米的高标准净化厂房、年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线、年产100万只以上高压IGBT模块的封装测试系统及配套的公用辅助生产设施。项目的建设符合国家产业政策，选址符合田心高科技园总体规划，根据湖南省环境保护科学研究院编制的环评报告书的分析结论，在建设单位严格执行环保“三同时”制度，切实落实各项污染防治措施的情况下，从环境保护的角度，我厅拟同意按照报告书中所列建设项目的性质、规模、地点、环境保护对策措施进行项目建设。